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美国高通公司吴瑞砾受邀来院作学术报告

   12月19日,应我院教授吴江枫的邀请,美国高通公司(Qualcomm,全球最大的芯片设计公司)吴瑞砾在嘉定校区智信馆603室作了题为“CMOS功率放大器在5G时代的机遇与挑战”的学术报告。

    吴瑞砾于2010年获得清华大学电子工程学士学位,2013年获得美国德克萨斯理工大学电子工程硕士学位。他的研究方向是基于硅衬底的高效率,高线性度RF功率放大器设计,以及包络跟踪技术。自2013年以来,他一直在美国高通公司工作,担任体CMOS功率放大器设计团队的RF团队领头人,产品应用于3G/4G/IoT 无线通讯。他曾担任多个期刊的审稿人,包括IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS, IEEE TRANSACTIONS ON MICROWAVE THEORY AND TECHNIQUES,以及IEEE MICROWAVE AND WIRELESS COMPONENTS LETTERS。他还在2012年获得International Symposium on VLSI Design, Automation and Test (VLSI-DAT) 最佳论文奖,在2013年获得 IEEE Topical Conference on Power Amplifiers for Wireless and Radio Applications (PAWR) 最佳学生论文奖。他的论文在IEEE超过12000的下载量。

    前来参加学术报告的有我院控制科学与工程系的老师和研究生同学们。报告历时一个半小时,在交互式的学习交流中,吴瑞砾详尽地介绍了何为CMOS功率放大器、CMOS功率放大器面临的问题、CMOS功率放大器的优点、5G通信的特点以及CMOS功率放大器在5G时代的机遇与挑战等主要内容。报告结束后,参会师生就CMOS功率放大器的现实情况与发展前景进行了讨论,并且探讨了CMOS功率放大器在5G时代的应用等问题。报告在现场师生的热烈掌声中顺利结束。

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

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